ইনসুলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টরের সংজ্ঞা

ইনসুলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর (IGBT) হল একটি যৌগিক সম্পূর্ণ নিয়ন্ত্রিত, ভোল্টেজ-চালিত পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস যা MOSFET (মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড-এফেক্ট ট্রানজিস্টর (BJ) এবং BBJ এর সুবিধাগুলিকে একত্রিত করে।

 

মূল সংজ্ঞা পয়েন্ট
স্ট্রাকচার কম্পোজিশন: একটি MOSFET-এর উচ্চ ইনপুট প্রতিবন্ধকতা এবং ভোল্টেজ-চালিত বৈশিষ্ট্যগুলিকে একটি BJT-এর কম পরিবাহী ভোল্টেজ ড্রপ এবং উচ্চ কারেন্ট- বহন করার ক্ষমতার সাথে একত্রিত করে।

 

কাজের নীতি: চ্যানেল গঠন নিয়ন্ত্রণের জন্য গেটে ভোল্টেজ প্রয়োগ করে, এটি PNP ট্রানজিস্টরে বেস কারেন্ট প্রদান করে, চালু-বা চালু-অফ করে।

 

টার্মিনাল স্ট্রাকচার: তিনটি ইলেক্ট্রোড আছে - গেট (G), কালেক্টর (C), এবং ইমিটার (E)।

 

প্রধান সুবিধা
উচ্চ ইনপুট প্রতিবন্ধকতা (MOSFET এর মতো, কম ড্রাইভিং শক্তি)

কম পরিবাহী ভোল্টেজ ড্রপ (BJT অনুরূপ, কম পরিবাহী ক্ষতি)

উচ্চ ভোল্টেজ, উচ্চ কারেন্ট এবং মাঝারি থেকে উচ্চ{0}} ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত