ইনসুলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টরের কাজের নীতি (IGBT)

ইনসুলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর (IGBT) হল একটি যৌগিক সম্পূর্ণরূপে-নিয়ন্ত্রিত ভোল্টেজ-চালিত পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস যা GTR-এর কম পরিবাহী ভোল্টেজ ড্রপের সাথে MOSFET-এর উচ্চ ইনপুট প্রতিবন্ধকতাকে একত্রিত করে।

 

কোর স্ট্রাকচার এবং ড্রাইভিং মেকানিজম
তিনটি-টার্মিনাল কম্পোজিট গঠন: IGBT একটি গেট, সংগ্রাহক এবং ইমিটার নিয়ে গঠিত, যা একটি MOSFET বাইপোলার ট্রানজিস্টর (PNP) চালানোর অভ্যন্তরীণ সমতুল্য।

ভোল্টেজ-নিয়ন্ত্রিত বৈশিষ্ট্য: একটি ভোল্টেজ-নিয়ন্ত্রিত ডিভাইস হিসাবে, প্রস্তাবিত গেট ড্রাইভিং ভোল্টেজ হল 15V ± 1.5V, উচ্চ ইনপুট প্রতিবন্ধকতা এবং কম ড্রাইভিং শক্তি।

 

মেকানিজম-চালু করুন এবং{1}}বন্ধ করুন৷
প্রক্রিয়া চালু করুন: যখন থ্রেশহোল্ড অতিক্রম করে একটি ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ গেট এবং ইমিটারের মধ্যে প্রয়োগ করা হয়, তখন MOSFET-এর মধ্যে একটি চ্যানেল তৈরি হয়, PNP ট্রানজিস্টরে বেস কারেন্ট প্রদান করে এবং IGBT চালু করে। এই সময়ে, পরিবাহিতা মডুলেশন প্রভাব ব্যবহার করা হয়; প্রতিরোধ ক্ষমতা কমানোর জন্য ছিদ্রগুলিকে N অঞ্চলে ইনজেকশন দেওয়া হয়, একটি কম অন-স্টেট ভোল্টেজ ড্রপ অর্জন করে।

বন্ধ-প্রক্রিয়া: যখন গেটে একটি বিপরীত ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হয় বা সংকেত সরানো হয়, তখন MOSFET চ্যানেলটি অদৃশ্য হয়ে যায়, বেস কারেন্ট বন্ধ হয়ে যায় এবং IGBT বন্ধ হয়ে যায়। বন্ধ করার সময়-অফ, একটি টেইল কারেন্ট প্রপঞ্চ দেখা যায় যার জন্য ক্ষতি কমাতে অপ্টিমাইজড ডিজাইনের প্রয়োজন হয়।

 

প্রধান বৈশিষ্ট্য এবং অ্যাপ্লিকেশন
বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য: 600V-এর বেশি ভোল্টেজ, 10A-এর বেশি কারেন্ট এবং 1kHz-এর বেশি ফ্রিকোয়েন্সি সহ অঞ্চলগুলির জন্য উপযুক্ত, কম প্রতিরোধের সাথে উচ্চ গতির কর্মক্ষমতা একত্রিত করে।

অ্যাপ্লিকেশন ক্ষেত্র: প্রধানত ফোটোভোলটাইক ইনভার্টার, নতুন শক্তি যান ইলেকট্রনিক কন্ট্রোল সিস্টেম, শিল্প ফ্রিকোয়েন্সি রূপান্তর সরঞ্জাম, এবং ইন্ডাকশন হিটিং ব্যবহার করা হয়।